Wyślij wiadomość
Poprosić o wycenę |
Dom ProduktyTranzystor polowy

Półprzewodniki Power Mosfet Tranzystor N Channel STB24N60DM2

Wszystkie produkty

Układy scalone ICS

(7037)

Układ scalony pamięci

(2998)

Izolator analogowy IC

(2527)

Mikrokontrolery i procesory wbudowane

(5000)

Tranzystor polowy

(1833)

Moduł mocy IGBT

(1002)

Dioda Trioda

(303)

Kondensator ogólnego przeznaczenia

(41)

Connectors Interconnects

(83)

Induktor mocy SMD

(100)

Element przekaźnika

(203)

Bezpieczniki obwodu

(195)
Im Online Czat teraz

Półprzewodniki Power Mosfet Tranzystor N Channel STB24N60DM2

Półprzewodniki Power Mosfet Tranzystor N Channel STB24N60DM2
Półprzewodniki Power Mosfet Tranzystor N Channel STB24N60DM2 Półprzewodniki Power Mosfet Tranzystor N Channel STB24N60DM2 Półprzewodniki Power Mosfet Tranzystor N Channel STB24N60DM2

Duży Obraz :  Półprzewodniki Power Mosfet Tranzystor N Channel STB24N60DM2

Szczegóły Produktu:
Nazwa handlowa: STMicroelectronics
Numer modelu: STB24N60DM2
Zapłata:
Minimalne zamówienie: do negocjacji
Cena: Negotiable
Czas dostawy: do negocjacji
Zasady płatności: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Możliwość Supply: Dostępna ilość 41128 sztuk
Kontakt

Półprzewodniki Power Mosfet Tranzystor N Channel STB24N60DM2

Opis
Model produktu: STB24N60DM2 Pakiet Dostawcy: TO-263-3
Krótki opis: MOSFET Polaryzacja tranzystora: Kanał N
Obszary zastosowania: Przełączanie aplikacji Data produkcji: W ciągu roku
High Light:

Półprzewodniki Tranzystor Mosfet mocy

,

Tranzystor mocy Mosfet N

,

STB24N60DM2

Zakres produktów
  • STB24N60DM2 Półprzewodniki Tranzystory Power Mosfet Tranzystor polowy Dyskretny kanał N
  • N-kanałowe 600 V, typowo 0,13 Ω, 21 A MDmesh™ DM2 Power MOSFET w obudowach D²PAK, TO-220 i TO-247
Charakterystyka aplikacji
  1. Cechy
  • Szybka regeneracja diody korpusu
  • Ekstremalnie niski ładunek bramki i pojemność wejściowa
  • Niska rezystancja włączenia
  • Testowany w 100% pod lawiną
  • Ekstremalnie wysoka wytrzymałość dv/dt
  • Ochrona Zenera
  1. Opis
  • Te wysokonapięciowe N-kanałowe tranzystory mocy MOSFET są częścią serii diod szybkiego odzyskiwania MDmesh™ DM2.Oferują bardzo niski ładunek (Qrr) i czas odzyskiwania (trr) w połączeniu z niskim RDS(on), co czyni je odpowiednimi dla najbardziej wymagających konwerterów o wysokiej sprawności i idealnymi dla topologii mostkowych i konwerterów z przesunięciem fazowym ZVS.
Podstawowe dane
Atrybut produktu Wartość atrybutu
STMicroelectronics
Kategoria produktu: MOSFET
RoHS: Detale
Si
SMD/SMT
TO-263-3
Kanał N
1 kanał
600 V
18A
200 megaomów
- 25 V, + 25 V
4 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Wzmocnienie
FDmesh
Rolka
Wytnij taśmę
Rolka
Marka: STMicroelectronics
Konfiguracja: Pojedynczy
Czas upadku: 15 ns
Rodzaj produktu: MOSFET
Czas narastania: 8,7 ns
Seria: STB24N60DM2
1000
Podkategoria: MOSFETy
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 60 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 15 ns
Masa jednostkowa: 0,139332 uncji
POBIERZ KARTĘ DANYCH
Aplikacja 
  • Przełączanie aplikacji
  • Silniki BLDC
  • Trójfazowe silniki synchroniczne z magnesami trwałymi
  • Inwertery
  • Sterowniki półmostkowe
  • Robotyczne systemy sterowania
  • Urządzenia
  • Infrastruktura sieciowa
  • EPOS • Kino domowe
  • Rozproszone systemy zasilania
  • Infrastruktura komunikacyjna/sieciowa
Proces zamówienia

 

Dodaj części do formularza ZO Prześlij zapytanie ofertowe Odpowiadamy w ciągu 24 godzin
Potwierdzasz zamówienie Zapłata Wyślij swoje zamówienie
Więcej modeli MOSFET

 

STB30NF20 STB18NF25 STB32NM50N STB15N80K5 STB21N90K5
STB24N60DM2 STB15810 STB75NF20 STB6N60M2 STB46NF30
IRFB3207PBF IRFB38N20DPBF IRFB3306PBF IRFB5615PBF IRFB4310ZPBF
IRFB4110PBF IRFB4127PBF IRFB7730PBF IRFB7440PBF IRFB7537PBF
Układy scalone Ic
SSD2832G24 SSD2830QL9 SSD2829QL9 SSD2861QN10 SSD2858K1
SSD2848K1 SSD2828QN4 SSD2805CG39R SSD1963G41 A4988SETTR-T
MIC28515T-E/PHA MIC28514T-E/PHA MIC28513-1YFL-TR MIC28516T-E/PHA MIC28510YJL-TR
TPS54160DGQR TPS54160ADCR TPS54140ADCR TPS5410MDREP TPS54336ADDAR
LM2596SXADJ LM2596SX-3.3 LM2596SX-5.0 LM2596SX-12 DRV8312DDWR
Mikrokontrolery-MCU
STM8S003F3P6 STM8S003F3U6TR STM8S003K3T6C STM8S003F3P6TR STM8S003K3T6CT
STM8S005C6T6C STM8S005K6T6C STM8S103K3T6C STM8S105K6T6C Więcej modeli układów scalonych
STM32F030R8T6 STM32F030C6T6 STM32F030F4P6 STM32F030C8T6 STM32F030K6T6
STM32F030R8T6TR STM32F030CCT6 STM32F030RCT6 STM32F030K6T6T STM32F030CCT6TR
STM32F042C6T6 STM32F042K6T6 STM32F042K4U6 STM32F042F6P7 STM32F042F4P6TR
STM32F042K6U7 STM32F042G4U6 STM32F042F4P6 STM32F042C6U7 STM32F042K6T7
Schemat układu

Półprzewodniki Power Mosfet Tranzystor N Channel STB24N60DM2 0

Półprzewodniki Power Mosfet Tranzystor N Channel STB24N60DM2 1

Etykietka:

Tranzystor polowy FET,

tranzystor mocy Mosfet,

układ Mosfet 75VTranzystor polowy mocy

Szczegóły kontaktu
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Osoba kontaktowa: Darek

Tel: +8615017926135

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

O

Układy scalone ICS

Cypress Semiconductor Układy scalone ICS Obwód monolityczny USB 48TQFP CY7C65632-48AXC

Układy scalone zarządzania akumulatorem ICS TI BQ20Z65DBTR-R1 Układ wskaźnika poziomu paliwa

SMD / SMT Układy scalone Układy scalone Sterowniki zapłonu Sterowniki IR IR2110STRPBF

STM32F405RGT6 Mikrokontrolery i procesory wbudowane MCU St 1024 FLASH

Układy scalone STM32F407VET6

Wbudowane procesory i kontrolery MCU STM32F103RCT6

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry jakość Układy scalone ICS dostawca. © 2023 integratedcircuitsics.com. All Rights Reserved.