Wyślij wiadomość
Do domu > produkty > Tranzystor polowy > SIHP28N65EF-GE3 Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET Tranzystory MOSFET Pojedyncze

SIHP28N65EF-GE3 Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET Tranzystory MOSFET Pojedyncze

Kategoria:
Tranzystor polowy
Cena £:
Negotiable
Metoda płatności:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specyfikacje
Numer części:
SIHP28N65EF-GE3
Producent:
Vishay Siliconix
Opis:
MOSFET N-CH 650V 28A TO-220AB
Kategoria:
Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze
Rodzina:
Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze
Wprowadzenie

Specyfikacje SIHP28N65EF-GE3

Stan części Aktywny
Typ FET Kanał N
Technologia MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie od drenu do źródła (Vdss) 650 V
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C 28A (Tc)
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id 4 V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs 146nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 3249 pF przy 100 V
Vgs (maks.) ±30 V
Funkcja FET -
Rozpraszanie mocy (maks.) 250 W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117 mOhm @ 14A, 10V
temperatura robocza -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania Przez otwór
Pakiet urządzeń dostawcy TO-220AB
Opakowanie / etui TO-220-3
Wysyłka UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Stan Nowa oryginalna fabryka.

SIHP28N65EF-GE3 Opakowanie

Wykrycie

SIHP28N65EF-GE3 Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET Tranzystory MOSFET PojedynczeSIHP28N65EF-GE3 Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET Tranzystory MOSFET PojedynczeSIHP28N65EF-GE3 Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET Tranzystory MOSFET PojedynczeSIHP28N65EF-GE3 Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET Tranzystory MOSFET Pojedyncze

Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable