SIHG28N65EF-GE3 Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET MOSFET Pojedyncze
Specyfikacje
Numer części:
SIHG28N65EF-GE3
Producent:
Vishay Siliconix
Opis:
MOSFET N-CH 650V 28A TO-247AC
Kategoria:
Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze
Rodzina:
Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze
Wprowadzenie
Specyfikacje SIHG28N65EF-GE3
Stan części | Aktywny |
---|---|
Typ FET | Kanał N |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
Napięcie od drenu do źródła (Vdss) | 650 V |
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C | 28A (Tc) |
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) | 10V |
Vgs(th) (Maks.) @ Id | 4 V przy 250µA |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 146nC przy 10V |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 3249 pF przy 100 V |
Vgs (maks.) | ±30 V |
Funkcja FET | - |
Rozpraszanie mocy (maks.) | 250 W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 117 mOhm @ 14A, 10V |
temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Typ mocowania | Przez otwór |
Pakiet urządzeń dostawcy | TO-247AC |
Opakowanie / etui | TO-247-3 |
Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
SIHG28N65EF-GE3 Opakowanie
Wykrycie
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable