Wyślij wiadomość
Do domu > produkty > Tranzystor polowy > BSP92PH6327XTSA1 Tranzystor polowy Tranzystory FET MOSFET Pojedyncze

BSP92PH6327XTSA1 Tranzystor polowy Tranzystory FET MOSFET Pojedyncze

Kategoria:
Tranzystor polowy
Cena £:
Negotiable
Metoda płatności:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specyfikacje
Numer części:
BSP92PH6327XTSA1
Producent:
Technologie firmy Infineon
Opis:
MOSFET P-CH 250V 260MA 4SOT223
Kategoria:
Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze
Rodzina:
Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze
Seria:
SIPMOS®
Wprowadzenie

Specyfikacje BSP92PH6327XTSA1

Stan części Aktywny
Typ FET Kanał P
Technologia MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie od drenu do źródła (Vdss) 250V
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C 260mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) 2,8 V, 10 V
Vgs(th) (Maks.) @ Id 2 V przy 130µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs 5,4 nC przy 10 V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 104 pF przy 25 V
Vgs (maks.) ±20 V
Funkcja FET -
Rozpraszanie mocy (maks.) 1,8 W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 omów przy 260 mA, 10 V
temperatura robocza -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Pakiet urządzeń dostawcy PG-SOT223-4
Opakowanie / etui TO-261-4, TO-261AA
Wysyłka UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Stan Nowa oryginalna fabryka.

BSP92PH6327XTSA1 Opakowanie

Wykrycie

BSP92PH6327XTSA1 Tranzystor polowy Tranzystory FET MOSFET PojedynczeBSP92PH6327XTSA1 Tranzystor polowy Tranzystory FET MOSFET PojedynczeBSP92PH6327XTSA1 Tranzystor polowy Tranzystory FET MOSFET PojedynczeBSP92PH6327XTSA1 Tranzystor polowy Tranzystory FET MOSFET Pojedyncze

Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable