|
Szczegóły Produktu:
|
| Numer części: | CSD23202W10 | Producent: | Instrumenty z Teksasu |
|---|---|---|---|
| Opis: | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | Kategoria: | Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze |
| Rodzina: | Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze | Seria: | NexFET™ |
| Stan części | Aktywny |
|---|---|
| Typ FET | Kanał P |
| Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
| Napięcie od drenu do źródła (Vdss) | 12V |
| Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C | 2,2 A (Ta) |
| Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) | 1,5 V, 4,5 V |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id | 900mV przy 250µA |
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 3,8 nC przy 4,5 V |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 512 pF przy 6 V |
| Vgs (maks.) | -6V |
| Funkcja FET | - |
| Rozpraszanie mocy (maks.) | 1 W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm przy 500 mA, 4,5 V |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
| Pakiet urządzeń dostawcy | 4-DSBGA (1x1) |
| Opakowanie / etui | 4-UFBGA, DSBGA |
| Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
Osoba kontaktowa: Darek
Tel: +8615017926135
