|
Szczegóły Produktu:
|
| Numer części: | SI7315DN-T1-GE3 | Producent: | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Opis: | MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8 | Kategoria: | Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze |
| Rodzina: | Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze | Seria: | TrenchFET® |
| Stan części | Aktywny |
|---|---|
| Typ FET | Kanał P |
| Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
| Napięcie od drenu do źródła (Vdss) | 150 V |
| Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C | 8,9 A (Tc) |
| Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id | 4 V przy 250µA |
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 30nC przy 10V |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 880 pF przy 75 V |
| Vgs (maks.) | - |
| Funkcja FET | - |
| Rozpraszanie mocy (maks.) | 3,8 W (Ta), 52 W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 315 mOhm przy 2,4 A, 10 V |
| temperatura robocza | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
| Pakiet urządzeń dostawcy | PowerPAK® 1212-8 |
| Opakowanie / etui | PowerPAK® 1212-8 |
| Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
Osoba kontaktowa: Darek
Tel: +8615017926135
