|
Szczegóły Produktu:
|
| Numer części: | PHB33NQ20T,118 | Producent: | Nexperia USA Inc. |
|---|---|---|---|
| Opis: | MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK | Kategoria: | Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze |
| Rodzina: | Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze | Seria: | TrenchMOS™ |
| Stan części | Aktywny |
|---|---|
| Typ FET | Kanał N |
| Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
| Napięcie od drenu do źródła (Vdss) | 200V |
| Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C | 32,7 A (Tc) |
| Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) | 10V |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id | 4 V przy 1 mA |
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 32,2 nC przy 10 V |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 1870 pF przy 25 V |
| Vgs (maks.) | ±20 V |
| Funkcja FET | - |
| Rozpraszanie mocy (maks.) | 230 W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 15A, 10V |
| temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
| Pakiet urządzeń dostawcy | D2PAK |
| Opakowanie / etui | TO-263-3, D²Pak (2 przewody + zakładka), TO-263AB |
| Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
Osoba kontaktowa: Darek
Tel: +8615017926135
