|
Szczegóły Produktu:
|
| Numer części: | IPS65R1K4C6AKMA1 | Producent: | Technologie firmy Infineon |
|---|---|---|---|
| Opis: | MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251 | Kategoria: | Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze |
| Rodzina: | Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze | Seria: | CoolMOS™ |
| Stan części | Aktywny |
|---|---|
| Typ FET | Kanał N |
| Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
| Napięcie od drenu do źródła (Vdss) | 650 V |
| Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C | 3,2 A (Tc) |
| Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) | 10V |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id | 3,5 V przy 100 µA |
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 10,5 nC przy 10 V |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 225 pF przy 100 V |
| Vgs (maks.) | ±20 V |
| Funkcja FET | - |
| Rozpraszanie mocy (maks.) | 28 W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1,4 Ohma przy 1 A, 10 V |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ mocowania | Przez otwór |
| Pakiet urządzeń dostawcy | PG-TO251-3 |
| Opakowanie / etui | Przewody TO-251-3, IPak |
| Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
Osoba kontaktowa: Darek
Tel: +8615017926135
