|
Szczegóły Produktu:
|
| Numer części: | TK11P65W, RQ | Producent: | Półprzewodniki i pamięci masowe firmy Toshiba |
|---|---|---|---|
| Opis: | MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S | Kategoria: | Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze |
| Rodzina: | Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze | Seria: | DTMOSIV |
| Stan części | Aktywny |
|---|---|
| Typ FET | Kanał N |
| Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
| Napięcie od drenu do źródła (Vdss) | 650 V |
| Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C | 11.1A (Ta) |
| Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) | 10V |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id | 3,5 V przy 450 µA |
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 25nC przy 10V |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 890 pF przy 300 V |
| Vgs (maks.) | ±30 V |
| Funkcja FET | - |
| Rozpraszanie mocy (maks.) | 100 W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440 mOhm przy 5,5 A, 10 V |
| temperatura robocza | 150°C (TJ) |
| Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
| Pakiet urządzeń dostawcy | DPAK |
| Opakowanie / etui | TO-252-3, DPak (2 odprowadzenia + zakładka), SC-63 |
| Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
Osoba kontaktowa: Darek
Tel: +8615017926135
