Wyślij wiadomość
Dom ProduktyDioda Trioda

DF2S5M4CT, L3F Zabezpieczenie obwodu triody diodowej Tranzystory TVS

Im Online Czat teraz

DF2S5M4CT, L3F Zabezpieczenie obwodu triody diodowej Tranzystory TVS

DF2S5M4CT, L3F Zabezpieczenie obwodu triody diodowej Tranzystory TVS
DF2S5M4CT, L3F Zabezpieczenie obwodu triody diodowej Tranzystory TVS

Duży Obraz :  DF2S5M4CT, L3F Zabezpieczenie obwodu triody diodowej Tranzystory TVS

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: Oryginalny
Zapłata:
Minimalne zamówienie: do negocjacji
Cena: Negotiable
Czas dostawy: do negocjacji
Zasady płatności: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Możliwość Supply: 100000

DF2S5M4CT, L3F Zabezpieczenie obwodu triody diodowej Tranzystory TVS

Opis
Numer części: DF2S5M4CT,L3F Producent: Półprzewodniki i pamięci masowe firmy Toshiba
Opis: Dioda TVS 3,6VWM 15VC CST2 Kategoria: TVS - Diody

Specyfikacje DF2S5M4CT,L3F

Seria
RoHSRoHS
TypZenera
Stan częściAktywny
Aplikacje-
Typ mocowaniaMontaż powierzchniowy
Opakowanie / etuiSOD-882
Moc — puls szczytowy30 W
temperatura robocza150°C (TJ)
Ochrona linii energetycznejNIE
Kanały dwukierunkowe-
Pojemność @ Częstotliwość0,35 pF przy 1 MHz
Pakiet urządzeń dostawcyCST2
Kanały jednokierunkowe1
Napięcie — awaria (min.)3,7 V
Napięcie — zaciskanie (maks.) @ Ipp15V
Napięcie — dystans wsteczny (typ)3,6 V (maks.)
Prąd - impuls szczytowy (10/1000µs)2A (8/20µs)

DF2S5M4CT, L3F Opakowanie

Wykrycie

DF2S5M4CT, L3F Zabezpieczenie obwodu triody diodowej Tranzystory TVS 0DF2S5M4CT, L3F Zabezpieczenie obwodu triody diodowej Tranzystory TVS 1DF2S5M4CT, L3F Zabezpieczenie obwodu triody diodowej Tranzystory TVS 2DF2S5M4CT, L3F Zabezpieczenie obwodu triody diodowej Tranzystory TVS 3

Szczegóły kontaktu
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Osoba kontaktowa: Darek

Tel: +8615017926135

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)