|
Szczegóły Produktu:
|
| Numer części: | IRF7910PBF | Producent: | Technologie firmy Infineon |
|---|---|---|---|
| Opis: | MOSFET 2N-CH 12V 10A 8-SOIC | Kategoria: | Tranzystory - FET, MOSFET - Macierze |
| Rodzina: | Tranzystory - FET, MOSFET - Macierze | Seria: | HEXFET® |
| Stan części | Wycofane w Digi-Key |
|---|---|
| Typ FET | 2 kanały N (podwójne) |
| Funkcja FET | Bramka poziomu logicznego |
| Napięcie od drenu do źródła (Vdss) | 12V |
| Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C | 10 A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm przy 8 A, 4,5 V |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id | 2 V przy 250µA |
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 26nC @ 4,5V |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 1730 pF przy 6 V |
| Moc — maks | 2W |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
| Opakowanie / etui | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm szerokości) |
| Pakiet urządzeń dostawcy | 8-SO |
| Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
Osoba kontaktowa: Darek
Tel: +8615017926135
