IPA65R099C6XKSA1 Tranzystor polowy Tranzystory FET Tranzystory MOSFET Pojedyncze
Kategoria:
Tranzystor polowy
Cena £:
Negotiable
Metoda płatności:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specyfikacje
Numer części:
IPA65R099C6XKSA1
Producent:
Technologie firmy Infineon
Opis:
MOSFET N-CH 650V 38A TO220
Kategoria:
Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze
Rodzina:
Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze
Seria:
CoolMOS™
Wprowadzenie
Specyfikacje IPA65R099C6XKSA1
| Stan części | Aktywny |
|---|---|
| Typ FET | Kanał N |
| Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
| Napięcie od drenu do źródła (Vdss) | 650 V |
| Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C | 38A (Tc) |
| Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) | 10V |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id | 3,5 V przy 1,2 mA |
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 127nC przy 10V |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 2780 pF przy 100 V |
| Vgs (maks.) | ±20 V |
| Funkcja FET | - |
| Rozpraszanie mocy (maks.) | 35 W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm przy 12,8 A, 10 V |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ mocowania | Przez otwór |
| Pakiet urządzeń dostawcy | Pełny pakiet PG-TO220 |
| Opakowanie / etui | TO-220-3 Pełny pakiet |
| Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
IPA65R099C6XKSA1 Opakowanie
Wykrycie
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable