Wyślij wiadomość
Do domu > produkty > Moduł mocy IGBT > STGW30M65DF2 Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedynczy

STGW30M65DF2 Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedynczy

Kategoria:
Moduł mocy IGBT
Cena £:
Negotiable
Metoda płatności:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specyfikacje
Numer części:
STGW30M65DF2
Producent:
STMicroelectronics
Opis:
BRAMKA DO RÓWÓW ZATRZYMANIE POLA IGBT M SE
Kategoria:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Rodzina:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Wprowadzenie

Specyfikacje STGW30M65DF2

Stan części Aktywny
Typ IGBT Przystanek pola okopowego
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.) 650 V
Prąd - kolektor (Ic) (maks.) 60A
Prąd - Impuls kolektora (Icm) 120A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2 V @ 15 V, 30 A
Moc — maks 258 W
Przełączanie energii 300 µJ (wł.), 960 µJ (wył.)
Typ wejścia Standard
Opłata za bramkę 80nC
Td (wł./wył.) @ 25°C 31,6 ns/115 ns
Warunek testowy 400 V, 30 A, 10 omów, 15 V
Czas przywracania wstecznego (trr) 140ns
temperatura robocza -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania Przez otwór
Opakowanie / etui TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy TO-247
Wysyłka UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Stan Nowa oryginalna fabryka.

STGW30M65DF2 Opakowanie

Wykrycie

STGW30M65DF2 Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT PojedynczySTGW30M65DF2 Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT PojedynczySTGW30M65DF2 Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT PojedynczySTGW30M65DF2 Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedynczy

Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable