STGW30M65DF2 Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedynczy
Specyfikacje
Numer części:
STGW30M65DF2
Producent:
STMicroelectronics
Opis:
BRAMKA DO RÓWÓW ZATRZYMANIE POLA IGBT M SE
Kategoria:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Rodzina:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Wprowadzenie
Specyfikacje STGW30M65DF2
Stan części | Aktywny |
---|---|
Typ IGBT | Przystanek pola okopowego |
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.) | 650 V |
Prąd - kolektor (Ic) (maks.) | 60A |
Prąd - Impuls kolektora (Icm) | 120A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2 V @ 15 V, 30 A |
Moc — maks | 258 W |
Przełączanie energii | 300 µJ (wł.), 960 µJ (wył.) |
Typ wejścia | Standard |
Opłata za bramkę | 80nC |
Td (wł./wył.) @ 25°C | 31,6 ns/115 ns |
Warunek testowy | 400 V, 30 A, 10 omów, 15 V |
Czas przywracania wstecznego (trr) | 140ns |
temperatura robocza | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Typ mocowania | Przez otwór |
Opakowanie / etui | TO-247-3 |
Pakiet urządzeń dostawcy | TO-247 |
Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
STGW30M65DF2 Opakowanie
Wykrycie
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable