Wyślij wiadomość
Do domu > produkty > Moduł mocy IGBT > IRG7CH42UEF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedyncze

IRG7CH42UEF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedyncze

Kategoria:
Moduł mocy IGBT
Cena £:
Negotiable
Metoda płatności:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specyfikacje
Opis:
IGBT 1200 V ULTRA SZYBKA MATRYCA
Numer części:
IRG7CH42UEF
Producent:
Technologie firmy Infineon
Kategoria:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Rodzina:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Wprowadzenie

Specyfikacje IRG7CH42UEF

Stan części Przestarzały
Typ IGBT -
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.) 1200 V
Prąd - kolektor (Ic) (maks.) -
Prąd - Impuls kolektora (Icm) -
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1,4 V przy 15 V, 5 A
Moc — maks -
Przełączanie energii -
Typ wejścia Standard
Opłata za bramkę 157nC
Td (wł./wył.) @ 25°C 25ns/229ns
Warunek testowy 600 V, 30 A, 10 omów, 15 V
Czas przywracania wstecznego (trr) -
temperatura robocza -40°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Opakowanie / etui Umierać
Pakiet urządzeń dostawcy Umierać
Wysyłka UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Stan Nowa oryginalna fabryka.

IRG7CH42UEF Opakowanie

Wykrycie

IRG7CH42UEF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT PojedynczeIRG7CH42UEF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT PojedynczeIRG7CH42UEF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT PojedynczeIRG7CH42UEF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedyncze

Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable