IRG7CH28UEF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedyncze
Specyfikacje
Opis:
IGBT 1200 V ULTRA SZYBKA MATRYCA
Numer części:
IRG7CH28UEF
Producent:
Technologie firmy Infineon
Kategoria:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Rodzina:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Wprowadzenie
Specyfikacje IRG7CH28UEF
Stan części | Przestarzały |
---|---|
Typ IGBT | - |
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.) | 1200 V |
Prąd - kolektor (Ic) (maks.) | - |
Prąd - Impuls kolektora (Icm) | - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1,55 V przy 15 V, 2,5 A |
Moc — maks | - |
Przełączanie energii | - |
Typ wejścia | Standard |
Opłata za bramkę | 60nC |
Td (wł./wył.) @ 25°C | 35ns/225ns |
Warunek testowy | 600V, 15A, 22 Ohm, 15V |
Czas przywracania wstecznego (trr) | - |
temperatura robocza | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
Opakowanie / etui | Umierać |
Pakiet urządzeń dostawcy | Umierać |
Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
IRG7CH28UEF Opakowanie
Wykrycie
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable