Wyślij wiadomość
Do domu > produkty > Moduł mocy IGBT > IRG7CH73K10EF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedynczy

IRG7CH73K10EF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedynczy

Kategoria:
Moduł mocy IGBT
Cena £:
Negotiable
Metoda płatności:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specyfikacje
Opis:
IGBT 1200 V ULTRA SZYBKA MATRYCA
Numer części:
IRG7CH73K10EF
Producent:
Technologie firmy Infineon
Kategoria:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Rodzina:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Wprowadzenie

Dane techniczne IRG7CH73K10EF

Stan części Przestarzały
Typ IGBT -
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.) 1200 V
Prąd - kolektor (Ic) (maks.) -
Prąd - Impuls kolektora (Icm) -
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1,6 V przy 15 V, 20 A
Moc — maks -
Przełączanie energii -
Typ wejścia Standard
Opłata za bramkę 360nC
Td (wł./wył.) @ 25°C 63ns/267ns
Warunek testowy 600 V, 75 A, 4,7 oma, 15 V
Czas przywracania wstecznego (trr) -
temperatura robocza -40°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Opakowanie / etui Umierać
Pakiet urządzeń dostawcy Umierać
Wysyłka UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Stan Nowa oryginalna fabryka.

IRG7CH73K10EF Opakowanie

Wykrycie

IRG7CH73K10EF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT PojedynczyIRG7CH73K10EF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT PojedynczyIRG7CH73K10EF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT PojedynczyIRG7CH73K10EF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedynczy

Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable