IRG7CH73K10EF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedynczy
Specyfikacje
Opis:
IGBT 1200 V ULTRA SZYBKA MATRYCA
Numer części:
IRG7CH73K10EF
Producent:
Technologie firmy Infineon
Kategoria:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Rodzina:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Wprowadzenie
Dane techniczne IRG7CH73K10EF
Stan części | Przestarzały |
---|---|
Typ IGBT | - |
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.) | 1200 V |
Prąd - kolektor (Ic) (maks.) | - |
Prąd - Impuls kolektora (Icm) | - |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1,6 V przy 15 V, 20 A |
Moc — maks | - |
Przełączanie energii | - |
Typ wejścia | Standard |
Opłata za bramkę | 360nC |
Td (wł./wył.) @ 25°C | 63ns/267ns |
Warunek testowy | 600 V, 75 A, 4,7 oma, 15 V |
Czas przywracania wstecznego (trr) | - |
temperatura robocza | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
Opakowanie / etui | Umierać |
Pakiet urządzeń dostawcy | Umierać |
Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
IRG7CH73K10EF Opakowanie
Wykrycie
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable