Wyślij wiadomość
Do domu > produkty > Moduł mocy IGBT > IRG7CH75K10EF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedynczy

IRG7CH75K10EF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedynczy

Kategoria:
Moduł mocy IGBT
Cena £:
Negotiable
Metoda płatności:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specyfikacje
Opis:
IGBT 1200 V ULTRA SZYBKA MATRYCA
Numer części:
IRG7CH75K10EF
Producent:
Technologie firmy Infineon
Kategoria:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Rodzina:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Seria:
*
Wprowadzenie

Dane techniczne IRG7CH75K10EF

Stan części Przestarzały
Typ IGBT -
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.) -
Prąd - kolektor (Ic) (maks.) -
Prąd - Impuls kolektora (Icm) -
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic -
Moc — maks -
Przełączanie energii -
Typ wejścia -
Opłata za bramkę -
Td (wł./wył.) @ 25°C -
Warunek testowy -
Czas przywracania wstecznego (trr) -
temperatura robocza -
Typ mocowania -
Opakowanie / etui -
Pakiet urządzeń dostawcy -
Wysyłka UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Stan Nowa oryginalna fabryka.

IRG7CH75K10EF Opakowanie

Wykrycie

IRG7CH75K10EF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT PojedynczyIRG7CH75K10EF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT PojedynczyIRG7CH75K10EF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT PojedynczyIRG7CH75K10EF Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedynczy

Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable