IRG8CH29K10F Moduł mocy IGBT Tranzystory IGBT Pojedynczy
Kategoria:
Moduł mocy IGBT
Cena £:
Negotiable
Metoda płatności:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specyfikacje
Opis:
IGBT 1200 V ULTRA SZYBKA MATRYCA
Numer części:
IRG8CH29K10F
Producent:
Technologie firmy Infineon
Kategoria:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Rodzina:
Tranzystory - IGBT - Pojedyncze
Wprowadzenie
Dane techniczne IRG8CH29K10F
| Stan części | Przestarzały |
|---|---|
| Typ IGBT | - |
| Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.) | 1200 V |
| Prąd - kolektor (Ic) (maks.) | - |
| Prąd - Impuls kolektora (Icm) | - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2 V @ 15 V, 25 A |
| Moc — maks | - |
| Przełączanie energii | - |
| Typ wejścia | Standard |
| Opłata za bramkę | 160nC |
| Td (wł./wył.) @ 25°C | 40ns/245ns |
| Warunek testowy | 600 V, 25 A, 10 omów, 15 V |
| Czas przywracania wstecznego (trr) | - |
| temperatura robocza | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
| Opakowanie / etui | Umierać |
| Pakiet urządzeń dostawcy | Umierać |
| Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
Opakowanie IRG8CH29K10F
Wykrycie
Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable