Wyślij wiadomość
Do domu > produkty > Dioda Trioda > ESD8351HT1G Dioda Trioda Zabezpieczenie obwodu Tranzystory TVS

ESD8351HT1G Dioda Trioda Zabezpieczenie obwodu Tranzystory TVS

Kategoria:
Dioda Trioda
Cena £:
Negotiable
Metoda płatności:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Specyfikacje
Numer części:
ESD8351HT1G
Producent:
onsemi
Opis:
Dioda TVS 3,3VWM 11,2VC SOD323
Kategoria:
TVS - Diody
Wprowadzenie

Specyfikacje ESD8351HT1G

Seria
RoHSRoHS
TypZenera
Stan częściAktywny
AplikacjeOgólny cel
Typ mocowaniaMontaż powierzchniowy
Opakowanie / etuiSC-76, SOD-323
Moc — puls szczytowy-
temperatura robocza-55°C ~ 125°C (TJ)
Ochrona linii energetycznejNIE
Kanały dwukierunkowe-
Pojemność @ Częstotliwość0,37 pF przy 1 MHz
Pakiet urządzeń dostawcySOD-323
Kanały jednokierunkowe1
Napięcie — awaria (min.)5,5 V
Napięcie — zaciskanie (maks.) @ Ipp11,2 V
Napięcie — dystans wsteczny (typ)3,3 V (maks.)
Prąd - impuls szczytowy (10/1000µs)5A (8/20µs)

ESD8351HT1G Opakowanie

Wykrycie

ESD8351HT1G Dioda Trioda Zabezpieczenie obwodu Tranzystory TVSESD8351HT1G Dioda Trioda Zabezpieczenie obwodu Tranzystory TVSESD8351HT1G Dioda Trioda Zabezpieczenie obwodu Tranzystory TVSESD8351HT1G Dioda Trioda Zabezpieczenie obwodu Tranzystory TVS

Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable